芯片刻蝕機(jī)第一梯隊(duì) 中微公司國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇可期

　　6月20日，科創(chuàng)板上市委將召開(kāi)第7次會(huì)議，審議中微公司等3家企業(yè)科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。中微公司是一家以中國(guó)為基地、面向全球的高端半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備公司，主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。產(chǎn)品主要包括刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士坦言，中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)、人才、產(chǎn)業(yè)環(huán)境等方面和國(guó)際領(lǐng)先水平存在很大差距。在這樣的條件下，中微公司在部分領(lǐng)域做到全球領(lǐng)先水平非常值得肯定。公司將逐漸突破，形成對(duì)海外公司的產(chǎn)品替代。

　　刻蝕機(jī)業(yè)務(wù)起家

　　中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備。

　　刻蝕機(jī)是公司的起家業(yè)務(wù)。2004年創(chuàng)立時(shí)，中微首先著手開(kāi)發(fā)甚高頻去耦合的CCP刻蝕設(shè)備Primo D-RIE，目前己成功開(kāi)發(fā)雙反應(yīng)臺(tái)Primo D-RIE，雙反應(yīng)臺(tái)Primo AD-RIE和單反應(yīng)臺(tái)的Primo AD-RIE三代刻蝕機(jī)產(chǎn)品，涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米到5納米關(guān)鍵尺寸的眾多刻蝕應(yīng)用。

　　公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶，從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝。

　　值得注意的是，5納米的刻蝕設(shè)備是目前世界最高水準(zhǔn)。圓晶制程技術(shù)方面，14納米目前是主流，臺(tái)積電的7納米生產(chǎn)線已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，5納米生產(chǎn)線已在建設(shè)中；三星2018年10月宣布7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)階段，5納米工藝在研發(fā)過(guò)程中；英特爾7納米工藝在研發(fā)中。

　　2018年12月，中微公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。5納米是集成電路制程工藝最小線寬。臺(tái)積電宣布，2019年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。

　　中微公司聯(lián)合創(chuàng)始人倪圖強(qiáng)曾表示，中微公司與泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、東京電子、日立等4家美日企業(yè)組成了國(guó)際第一梯隊(duì)，為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)，如今通過(guò)臺(tái)積電驗(yàn)證的5納米刻蝕機(jī)，預(yù)計(jì)能獲得比7納米更大的市場(chǎng)份額。

　　“公司相關(guān)產(chǎn)品值得認(rèn)可�！比A東一家大型公募的投研人士對(duì)中國(guó)證券報(bào)記者表示，半導(dǎo)體行業(yè)屬于高端制造業(yè)，歐美日韓等地區(qū)在該領(lǐng)域處于絕對(duì)領(lǐng)先地位。中國(guó)在該領(lǐng)域的技術(shù)、人才、產(chǎn)業(yè)環(huán)境等方面和國(guó)際領(lǐng)先水平存在巨大差距。在這樣的條件下，中微公司在部分集成電路設(shè)備領(lǐng)域做到全球領(lǐng)先水平是十分難得的。

　　該人士表示，公司的產(chǎn)品進(jìn)入了國(guó)際一線客戶，進(jìn)入了最領(lǐng)先的5納米生產(chǎn)線。但是，一線客戶和5納米生產(chǎn)線需求的設(shè)備是多種類的。中微主要集中于此類設(shè)備，和國(guó)際領(lǐng)先的廠商例如應(yīng)用材料、東京電子還存在差距。

　　中微公司另一塊主要產(chǎn)品是MOCVD設(shè)備，己開(kāi)發(fā)了三代MOCVD設(shè)備，可用于藍(lán)綠光LED、功率器件等加工。目前公司的MOCVD設(shè)備已經(jīng)三安光電等行業(yè)龍頭的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)。公司己成為世界排名前列、國(guó)內(nèi)占主導(dǎo)地位的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。

　　靜待國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇

　　得益于半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)、全球產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，以及公司技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品品質(zhì)、品牌信譽(yù)度、客戶資源等方面的優(yōu)勢(shì)，報(bào)告期內(nèi)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入保持快速增長(zhǎng)。2017年度、2018年度，增長(zhǎng)率分別為59.41%、68.66%。2016-2018年，公司營(yíng)收分別為6.09億元，9.71億元和16.39億元；凈利潤(rùn)分別為-2.38億元、2990萬(wàn)元和9000萬(wàn)元。

　　公司MOCVD設(shè)備業(yè)務(wù)增長(zhǎng)迅速，遠(yuǎn)快于刻蝕設(shè)備。2016年，公司MOCVD設(shè)備銷售僅3腔，到2017年單年銷售57腔，貢獻(xiàn)營(yíng)收5.3億元。2018年，該業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入達(dá)8.3億元，占營(yíng)收總額比例超過(guò)50%，一躍成為中微的第一大主營(yíng)業(yè)務(wù)。

　　“以MOCVD市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局看，2017年前全球只有Veeco和Aixtron供貨，2018年中微占據(jù)MOCVD新增市場(chǎng)41%。其中，2018年二季度占比達(dá)到60%以上。公司取得的成績(jī)斐然�！鄙耆f(wàn)宏源研究所副總經(jīng)理、首席分析師王勝表示。

　　目前，公司電容性刻蝕設(shè)備的全球市場(chǎng)份額約1.4%，2018年公司相關(guān)業(yè)務(wù)收入貢獻(xiàn)營(yíng)收5.7億元，占營(yíng)業(yè)總額比例為34%。

　　“作為一家后起廠商，公司產(chǎn)品推廣存在一些困難。芯片制造屬于極高端制造業(yè)，對(duì)制造設(shè)備的要求非常高，芯片制造廠商不愿意輕易更換設(shè)備供應(yīng)商。中微的產(chǎn)品即使性能上達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，客戶也沒(méi)有很強(qiáng)的動(dòng)力去更換，尤其是國(guó)際客戶。所以，產(chǎn)品的推廣是一個(gè)漫長(zhǎng)過(guò)程，需要付出很多時(shí)間和精力�！鼻笆龉�募人士表示。

　　王勝表示，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品的技術(shù)壁壘高，新產(chǎn)品要突破，要與原產(chǎn)品保持一致性能的基礎(chǔ)上，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)才能逐步替代。因此，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的格局通常難以撼動(dòng)。在國(guó)內(nèi)廠商現(xiàn)有產(chǎn)線鏈逐漸向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)優(yōu)秀公司有機(jī)會(huì)做大做強(qiáng)。參照公司MOCVD的拓展，公司將逐漸突破市場(chǎng)，形成對(duì)海外公司產(chǎn)品的替代。

　　“半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模2018年預(yù)估621億美元，空間足夠大，壁壘足夠高。歷史上有ASML、應(yīng)用材料等公司成為行業(yè)巨頭，牢牢把握著行業(yè)定價(jià)權(quán)。在內(nèi)外部環(huán)境推動(dòng)下，看好公司業(yè)務(wù)不斷突破向上�！蓖鮿僬f(shuō)。

　　科研實(shí)力突出

　　中微公司的科研實(shí)力突出。招股書(shū)顯示，公司申請(qǐng)了1201項(xiàng)專利。其中，發(fā)明專利1038項(xiàng)，海外發(fā)明專利465項(xiàng)。公司承擔(dān)了兩項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)科研項(xiàng)目。截至2018年底，公司員工人數(shù)653人，技術(shù)人員381人，占比達(dá)到60%；2018年，公司研發(fā)投入達(dá)到1.18億元。

　　前述公募人士表示，從人員的數(shù)量和質(zhì)量、從研發(fā)投入的規(guī)�？矗�中微公司的研發(fā)實(shí)力處于國(guó)內(nèi)頂級(jí)水平，和國(guó)際領(lǐng)先水平還存在一定差距。不過(guò)，公司的幾位核心技術(shù)人員均在英特爾、應(yīng)用材料等國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司有長(zhǎng)達(dá)20-30年的工作經(jīng)歷，產(chǎn)業(yè)和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)豐富。

　　公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)尹志堯是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的傳奇人物，也是公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的核心。招股說(shuō)明書(shū)顯示，尹志堯在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有35年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)際等離子體刻蝕機(jī)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者。

　　尹志堯1980年赴美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校攻讀物理化學(xué)博士，畢業(yè)后進(jìn)入英特爾中心研究開(kāi)發(fā)部工作，擔(dān)任工程師；1986年加盟泛林半導(dǎo)體，開(kāi)發(fā)了包括Rainbow介質(zhì)刻蝕機(jī)在內(nèi)的一系列成功的等離子刻蝕機(jī)，使得陷入困境的泛林一舉擊敗應(yīng)用材料，躍升為全球最大的等離子刻蝕設(shè)備制造商，占全球40%以上的刻蝕設(shè)備市場(chǎng)。目前，尹志堯是89項(xiàng)美國(guó)專利和200多項(xiàng)其他海外專利的主要發(fā)明人。

　　“公司高度重視研發(fā)投入與自主核心技術(shù)。2016年-2018年，公司累計(jì)研發(fā)投入10.37億元，約占營(yíng)業(yè)收入的32%。公司在與國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)先公司數(shù)輪的商業(yè)秘密和專利訴訟中均達(dá)成和解或勝訴，證明了公司扎實(shí)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)基礎(chǔ)和應(yīng)對(duì)國(guó)際復(fù)雜知識(shí)產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)的能力。”王勝對(duì)中國(guó)證券報(bào)記者表示。